可以加工氮化鋁陶瓷的廠(chǎng)家

  氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的性能，尤其是高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷，應(yīng)用更是非常廣泛，其價(jià)格遠(yuǎn)高于氧化鋁陶瓷，因此未能作為導(dǎo)熱材料得到普遍應(yīng)用。AIN氮化鋁陶瓷加工是目前機(jī)加工領(lǐng)域中一類(lèi)相對(duì)比較偏門(mén)的門(mén)類(lèi)，這種材料和金屬以及陶瓷都不相同。它既有陶瓷的硬度，又有金屬的韌性，因此在加工的時(shí)候就要特別注意，要摸清材料的加工特性，才能做出比較好的產(chǎn)品。氮化鋁陶瓷加工起來(lái)的技術(shù)難度是比較大的，容易出現(xiàn)白邊（其實(shí)就是崩邊）碎裂的情況，需要過(guò)硬的技術(shù)實(shí)力和加工經(jīng)驗(yàn)才能做得好，可以加工氮化鋁陶瓷的廠(chǎng)家鈞杰陶瓷專(zhuān)業(yè)加工廠(chǎng)聯(lián)系電話(huà)136 998 99025。
  這是因?yàn)榈X陶瓷材料具有優(yōu)良的特性，這種材料的應(yīng)用的額價(jià)值才更大，下面我們就來(lái)看看它的一些材料屬性吧。

 氮化鋁陶瓷(Aluminum Nitride Ceramic )是以氮化鋁(AlN)為主晶相的陶瓷。具有導(dǎo)熱高、耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、絕緣性好、耐熱振，介電常數(shù)低等特點(diǎn)。主要有以下四個(gè)性能指標(biāo):
(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m.K) ,接近BeO和SiC ,是Al2O3的5倍以上;
(2)熱膨脹系數(shù)(4.5x10-6℃)與Si(3.5-4x10-6℃)和GaAs(6x 10-6℃)匹配;
(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；
(4)機(jī)械性能好,抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常壓燒結(jié);
(5)光傳輸特性好，高純度的氮化鋁陶瓷材料是透明的，可以做光學(xué)材料。
(6)氮化鋁陶瓷無(wú)毒是環(huán)保的材料，在加工的過(guò)程中對(duì)人體沒(méi)有危害。
  氮化鋁陶瓷的優(yōu)異的性能決定了這種材料的應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛，
1、制作成氮化鋁陶瓷基片,作為陶瓷電路板的基板，雖然價(jià)格高但是比一般的氧化鋁陶瓷基板優(yōu)秀太多，常常用在高端的電子產(chǎn)品上。氮化鋁陶瓷基板具有熱導(dǎo)率高,膨脹系數(shù)低,強(qiáng)度高,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
3、通過(guò)AlN陶瓷的金屬化,可替代有毒性的氧化鈹陶瓷瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。AIN氮化鋁陶瓷具有高導(dǎo)熱率（180～240W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AIN的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片 和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AIN基板上；另一方面AIN的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍，芯片 產(chǎn)生的熱量可以及時(shí)散發(fā)。這樣，整個(gè)元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

4、利用AlN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件,利用其光學(xué)性能可作紅外線(xiàn)窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。
 氮化鋁陶瓷現(xiàn)在的缺點(diǎn)就是加工和制備的難度非常大，這個(gè)也是氮化鋁陶瓷材料的價(jià)格一直比較高的原因。鈞杰陶瓷做為AIN氮化鋁陶瓷加工廠(chǎng)，在這一材料的加工上有比較豐富的經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)已經(jīng)引進(jìn)了專(zhuān)用的陶瓷精密加工數(shù)控設(shè)備。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)和打磨，現(xiàn)在已經(jīng)可以加工各種陶瓷材料。氮化鋁陶瓷更是成為了公司的一個(gè)特色的優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目，已經(jīng)為國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)提供了優(yōu)質(zhì)的氮化鋁陶瓷材料的產(chǎn)品。氮化鋁陶瓷精密加工聯(lián)系鈞杰陶瓷：136 998 99025。